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    用于碳化硅功率器件的無引線封裝結構和制備方法

    1183   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:01:02
    本發明涉及一種用于碳化硅功率器件的無引線封裝結構和制備方法。本封裝結構包括一個表面有開槽和通孔的圓形氮化鋁基底、碳化硅功率器件、無引線薄膜電路、一個鍵合在氮化鋁基底上的銅熱沉和氮化鋁封裝蓋子。本發明封裝結構中沒有的引線,不用擔心引線可能引起的斷路、虛接的不良情況。而且,氮化鋁材料與碳化硅的熱導率相近,器件在凹槽內固定,不會有過多的熱應力,保證器件的可靠性。
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    “用于碳化硅功率器件的無引線封裝結構和制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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