本發明公開一種半導體α?GeTe靶材及其制備方法,在惰性氣體環境下將Ge和Te加熱熔煉成合金;然后從合金一端開始分段進行降溫冷卻;經過真空均勻化淬火處理,再經真空熱壓燒結后,得到半導體α?GeTe靶材。熔煉過程無需進行真空封管,優化了工藝,降低了成本;采用定向凝固技術,對GeTe錠進行提純;進一步真空均勻化淬火處理和真空熱壓燒結技術使得合成的GeTe靶材成份均勻,具有較高的致密度,相對密度≥98.1%;含氧量≤0.0489%;Te含量為63.32~64.12wt%。保證靶材使用性能的優異性的同時也適合產業化生產。
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