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    能降低污染的InSb單晶生長熱場裝置及生長方法

    1011   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:02:03
    本發明涉及一種能降低污染的InSb單晶生長熱場裝置,包括單晶生長坩堝體和保溫模塊,單晶生長坩堝體包括石墨坩堝,石墨坩堝的內側和外側均固定安裝石英坩堝層,石英坩堝層將石墨坩堝密封包裹在其內部;保溫模塊包括石英密封罩體,石英密封罩體內部密封設置保溫碳氈;還包括惰性氣體輸送管,惰性氣體輸送管其出口位于單晶生長坩堝體的表面開口處,使得惰性氣體輸送管內的惰性氣體經加熱后吹散在液面和晶體表面,降低單晶生長坩堝體內的溫度梯度;本發明消除了污染源,提高了單晶生長環境的清潔度;特殊的氣體輸送管路能減少液面和晶體表面的溫度梯度,能生長出高質量低位錯密度的單晶。
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