本發明提供的一種半導體功率器件子模組及其生產方法及壓接式IGBT模塊,所述半導體功率器件子模組的生產方法包括如下步驟:S1.在鉬片的鍍銀面上沉積AgSn薄膜焊膏;S2.將芯片通過卡具貼裝在所述AgSn薄膜焊膏表面,形成待燒結結構。本發明提供的半導體功率器件子模組的生產方法,在鉬片上首先沉積AgSn,AgSn具有很強導熱能力,可以確保整個子模組的傳熱能力。
聲明:
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