本發明公開了一種高結溫雪崩二極管芯片組件,包括正面金屬片、二極管擴散圓片和背面金屬片;二極管擴散圓片的兩面均設有鎳膜;兩層鎳膜的外側面與兩金屬片的內側面設焊料層;正面金屬片上設有應力吸收槽路,應力吸收槽路上設有溝槽,溝槽上設有聚酰亞胺鈍化層。本發明還公開了一種高結溫雪崩二極管芯片組件的制造方法,采用聚酰亞胺作為鈍化層,避免玻璃鈍化固有的高溫漏電大,膨脹應力大等缺陷,提升了二極管結溫;而且減少所有光刻,節約了成本,同時避免了光刻不良引入的缺陷,帶來了極大的經濟效益;本發明引入晶圓極的內引線金屬電極片,減少了臺面工藝帶來的翹曲、碎片,提高浪涌能力,提高成品率,并方便后續封裝工藝。
聲明:
“高結溫雪崩二極管芯片組件及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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