基于3D成型技術制備多孔SiC陶瓷的方法,本發明涉及基于3D成型技術制備多孔SiC陶瓷的方法。本發明的目的是為了解決目前選擇性激光燒結技術制備多孔SiC陶瓷時,成型件孔隙率低的問題。本發明方法為:繪制多孔SiC陶瓷的三維模型、設定SLS成型機的參數、混合SiC粉末、粘結劑粉末和造孔劑、制得陶瓷坯體、進行CIP包套然后冷等靜壓致密化處理,進行脫脂預燒結,再在有氧環境下進行燒結,即完成。操作簡便,成型速度快,原料利用率高,有效地提高多孔SiC陶瓷的孔隙率,最終成型件的孔隙率為70%~80%,且具備一定的強度。本發明應用于多孔SiC陶瓷的制備領域。
聲明:
“基于3D成型技術制備多孔SiC陶瓷的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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