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    多晶硅全熔鑄錠工藝

    1156   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:02:22
    本申請公開了一種多晶硅全熔鑄錠工藝,屬于光伏技術領域。該工藝包括下述步驟:1)裝料階段:將硅料裝填入坩堝,轉移坩堝至鑄錠爐;2)加熱、熔化階段:關閉隔熱籠,在真空條件下加熱、熔化硅料,在熔化階段的坩堝內部達到預設溫度后調整隔熱籠的開度;3)長晶階段:調整隔熱籠的開度為全部開度的30%?70%,長晶溫度為1410?1460℃;4)液態硅長晶結束后,退火、冷卻,即制得多晶硅錠。該工藝制備的多晶硅的良率高,對晶硅少子的壽命長,多晶硅底部紅區的短;工藝周期短,生產效率高;噴涂氮化硅的坩堝不與多晶硅鑄錠粘鍋;坩堝表面的噴涂的氮化硅為疏松粗糙表面,具有石英砂形核、縫隙形核和氮化硅形核,多種引晶并存,周期短良率高。
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    “多晶硅全熔鑄錠工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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