本發明所述的一種多枝狀類雪花片結構的金屬鹵化物鈣鈦礦憶阻器,該結構由頂電極層,金屬鹵化物鈣鈦礦層、底電極層以及襯底層構成。頂電極層為金或銀納米線,納米線直徑70nm,長度為20μm;阻變層為多枝狀類雪花片結構的金屬鹵化物鈣鈦礦層,厚度為100?200nm;底電極層主要為鉑,厚度為30~70nm;襯底層,厚度為520~530μm。本發明具有如下優點:制備了一種多枝狀類雪花片結構的金屬鹵化物鈣鈦礦,該結構可有效控制阻變過程粒子的遷移路徑,降低導電通道形成的隨機性,為憶阻器性能的提升優化提供了方法。本發明采用選旋涂法,制備方法簡單,成本較低,在非易失性存儲器、存算一體器件、神經突觸模擬等領域應用廣泛,有利于探索性能優異的阻變器件。
聲明:
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