本發明屬于鈣鈦礦太陽能電池、光電探測器以及寬禁帶半導體光電材料與器件技術領域,公開了一種寬禁帶半導體襯底上旋涂單晶的生長方法,在超聲清洗機中用異丙醇、乙醇和去離子水各清洗30分鐘,利用紫外臭氧處理襯底15分鐘,對寬禁帶半導體襯底進行徹底清洗;在經過徹底清洗的寬禁帶半導體襯底上采用旋涂儀旋涂碘化鉛或無機鈣鈦礦前體溶液;經過退火處理后,即可得到高質量的碘化鉛和鈣鈦礦單晶薄膜。本發明采用旋涂工藝生長高質量碘化鉛和鈣鈦礦單晶薄膜的技術,通過優化前體溶液的配比以及薄膜生長溫度,使用旋涂工藝在寬禁帶半導體襯底上生長碘化鉛或鈣鈦礦材料,獲得了高質量的外延單晶薄膜,應用于制造高效光電探測器或太陽能電池。
聲明:
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