本發明屬于半導體領域,具體提供了一種基于氧化鎵多層堆疊結構的PIN二極管,包括最底層的Ga2O3襯底、生長在所述Ga2O3襯底表面一側的CsPbI3層和另一側的底電極、生長在所述CsPbI3層表面的鈣鈦礦層、生長在所述鈣鈦礦層表面的本征ZnO層以及生長在所述ZnO層表面的頂電極;本發明的PIN二極管具有使載流子快速分離和傳導的性能,應用在光電探測器中可以使光電探測器實現紫外?可見光的雙波段探測。
聲明:
“基于氧化鎵多層堆疊結構的PIN二極管及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)