本發明公開了一種獨居石的陰極發光成像方法,包括:對獨居石礦物顆粒進行制靶,得到樹脂靶;對所述樹脂靶拋光,使獨居石露出于所述樹脂靶;在露出于所述樹脂靶的獨居石進行鍍膜,將鍍膜面朝上,并用導電膠將鍍膜后的樹脂靶固定在場發射掃描電鏡的樣品臺上,將場發射掃描電鏡的樣品倉抽真空,使所述樹脂靶處于真空條件下;選擇陰極發光探頭的工作距離;選擇電子束的加速電壓;選擇電子束的束斑大??;選擇初級增益值;獲取獨居石單顆粒的圖像。本發明對獨居石進行高分辨陰極發光發光成像,解決了獨居石一直以來陰極發光整體黑的問題,達到清晰地反映獨居石的內部結構特征,起到了獨居石原位微區定年精準選點的目的。
聲明:
“獨居石的陰極發光成像方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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