本發明公開了一種三維高分辨電阻率勘探及直接成像方法,主要內容是用單極-偶極裝置在全測區形成相互交錯的正交觀測系統;應用該三維高分辨電阻率勘探及直接成像方法可以克服現有二維高分辨電阻率勘探方法由于旁側效應引起的洞道定位不準,和洞道形狀不確定的問題。較一般的三維高密度電阻率勘探對地下洞道的敏感性高,真正實現了對地下分析分辨單元的多次覆蓋測量,因而具有較強的抗干擾和剔除靜態偏移的能力,易于實現測區的滾動測量和無縫銜接。三維直接成像方法快速、有效,無不易收斂的問題。該方法可以獲得更精確的地下洞道的位置、大小和形狀的信息,對于研究淺層精細地質結構有重要意義。
聲明:
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