一種鹵化鈣鈦礦單晶、制備方法及該單晶在制備X射線探測器中的應用,屬于X射線探測器技術領域。本發明開發出了溶劑揮發控制生長鹵化物鈣鈦礦單晶的方法,主要通過調控生長溫度和溶液開口面積等因素使晶體生長速率恒定,生長出晶體缺陷態密度更低和載流子遷移率?載流子壽命沉積更高的鈣鈦礦單晶。聚氧化乙烯被用來鈍化鈣鈦礦單晶表面的缺陷,顯著減少了晶體表面缺陷和表面泄漏電流,使晶體具有更大的電阻率和更低的噪音電流信號。制備的X射線探測器在120keV硬射線下的靈敏度達到1274μC·Gyair·cm2,最低檢測量低至0.56μGyair·s?1,滿足醫學成像應用的要求,可應用于金屬材料組分分析與探傷檢測。
聲明:
“鹵化鈣鈦礦單晶、制備方法及其在制備X射線探測器中的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)