本申請涉及半導體光電探測器領域,尤其涉及一種鈣鈦礦X射線探測器的封裝面板及其制備方法;鈣鈦礦材料層,鋁膜層,以及薄膜層,鋁膜層設置于鈣鈦礦材料層與薄膜層之間,且與鈣鈦礦材料層和薄膜層相鄰設置;其中,薄膜層為含硅元素的一個或多個無機薄膜層;所述方法包括:對基板的表面進行TFT驅動器件成型,再在成型的TFT驅動器件表面進行鈣鈦礦材料層成型,得到功能單元;在功能單元中鈣鈦礦材料層的表面貼封鋁膜層,后在鋁膜層表面上沉積第一無機薄膜層和第二無機薄膜層,得到含防水氧結構的封裝面板;通過鋁膜層和薄膜層,避免水氧環境對鈣鈦礦層材料的侵蝕,起到有效封裝。
聲明:
“鈣鈦礦X射線探測器的封裝面板及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)