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    p-i-n結構鈣鈦礦基X光探測器及其制備方法

    754   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-02-25 02:00:01
    本申請屬于光電技術領域,尤其涉及一種p?i?n結構鈣鈦礦基X光探測器及其制備方法。其中,p?i?n結構鈣鈦礦基X光探測器,包括依次疊層貼合設置的p型功能層、鈣鈦礦活性層和n型功能層,其中,所述鈣鈦礦活性層包含化學通式為APbZ3的鹵化物鈣鈦礦,其中,A包括堿金屬離子或者有機銨離子,Z包括至少一種鹵素。本申請提供的p?i?n結構鈣鈦礦基X光探測器,通過p型功能層、鈣鈦礦活性層和n型功能層的協同作用,可有效抑制器件暗電流,暗電流密度≤1nA/cm2,并且使鈣鈦礦基X光探測器具有較高的檢測靈敏度。
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