本申請屬于光電技術領域,尤其涉及一種鈣鈦礦基X光探測器及其制備方法。其中,鈣鈦礦基X光探測器的制備方法,包括步驟:獲取導電基底,對所述導電基底進行活化處理,得到活化后的導電基底;制備鈣鈦礦前驅體的混合溶液,將所述混合溶液沉積在所述活化后的導電基底上,干燥退火處理,得到含有AnA’1?nPbZ3鈣鈦礦材料的鈣鈦礦活性層,其中,A選自CH3NH3+,A’選自CH2(NH3)2+,Z選自鹵素,n為0.1~0.95;在所述鈣鈦礦活性層背離所述導電基底的表面制備背電極,得到鈣鈦礦基X探測器。本申請制備方法簡單高效,原材料利用率高,適用于制備大面積的鈣鈦礦基X光探測器,制備的探測器穩定性好,靈敏度高。
聲明:
“鈣鈦礦基X光探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)