本發明涉及一種光探測結構技術領域,具體涉及一種基于鈣鈦礦納米線的光探測結構,包括電極、具有縫隙的鈣鈦礦納米線、二氧化硅層、硅襯底層。二氧化硅層置于硅襯底層上,具有縫隙的鈣鈦礦納米線置于二氧化硅層上,電極加載在具有縫隙的鈣鈦礦納米線兩端。具有縫隙的鈣鈦礦納米線會加強對光的吸收,并且減小了電流橫截面的面積,從而提高探測的靈敏度。
聲明:
“基于鈣鈦礦納米線的光探測結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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