本發明屬于微納制造相關技術領域,其公開了一種全無機鈣鈦礦光電探測器及其制備方法,所述光電探測器包括玻璃基底、CuPc空穴傳輸層、CsPbBr3鈣鈦礦薄膜、MoOx修飾層及Ag電極層,所述玻璃基底包括基底及形成在所述基底上的ITO導電層;所述CuPc空穴傳輸層形成在所述ITO導電層遠離所述基底的表面上;所述CsPbBr3鈣鈦礦薄膜形成在所述CuPc空穴傳輸層遠離所述ITO導電層的表面上;所述MoOx修飾層形成在所述CsPbBr3鈣鈦礦薄膜遠離所述CuPc空穴傳輸層的表面上;所述Ag電極層形成在所述MoOx修飾層遠離所述CsPbBr3鈣鈦礦薄膜的表面上。本發明的生產成本低,適用性好,尤其適合大面積器件及器件陣列的高效制備。
聲明:
“全無機鈣鈦礦光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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