本發明公開了一種基于ME?BT復合空穴傳輸層的鈣鈦礦光電探測器及其制備方法,涉及光電探測器件技術領域,所述光電探測器包括從下到上依次設置的襯底、導電陰極、電子傳輸層、鈣鈦礦光活性層,復合空穴傳輸層和金屬陽極,所述復合空穴傳輸層包括上下兩層,所述復合空穴傳輸層的上層材料為ME?BT,下層材料為Spiro?OMeTAD,本發明通過引入ME?BT與Spiro?OMeTAD形成復合空穴傳輸層,在提升器件光電流的同時,大幅降低其暗電流,解決了傳統空穴傳輸層材料Spiro?OMeTAD遷移率低,器件穩定性差,壽命較短的問題。
聲明:
“基于ME-BT復合空穴傳輸層的鈣鈦礦光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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