一種直接?間接混合型鈣鈦礦X射線探測器以及間接型X射線探測閃爍體材料的光產額計算方法,屬于X射線探測技術領域。從下至上,由陽極Au、空穴傳輸層Spiro?OMeTAD、直接?間接混合型鈣鈦礦X射線探測壓片材料、電子傳輸層C60、空穴阻擋層BCP和陰極Cr組成。該器件的Cs3Cu2I5閃爍體可以向MAPbI3半導體發生電荷能量轉移,其響應時間大幅度縮減為36.6ns。另外,該器件在高電場強度下離子遷移現象被有效抑制,使得該器件的最低檢測劑量率相對于直接型X射線探測器MAPbI3和間接型X射線探測器件Cs3Cu2I5分別降低1.5倍和10倍。這種新型X射線探測器為下一代產品提供了新的機遇與挑戰。
聲明:
“直接-間接混合型鈣鈦礦X射線探測器及其閃爍體的光產額計算方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)