本發明屬于微納制造相關技術領域,其公開了一種自供能鈣鈦礦光電探測器及其制備方法,所述光電探測器包括玻璃基底、CsPbIBr2光敏薄膜、PMMA修飾層及Ag電極層,所述玻璃基底包括基底及設置在所述基底上的ITO導電層,所述CsPbIBr2光敏薄膜設置在所述ITO導電層上;所述PMMA修飾層設置在所述CsPbIBr2光敏薄膜遠離所述ITO導電層的表面上,所述Ag電極層設置在所述PMMA修飾層遠離所述CsPbIBr2光敏薄膜的表面上。本發明的生產成本和工藝復雜性相較其他鈣鈦礦光電探測器更;且PMMA修飾層的引入有利于進一步鈍化CsPbIBr2光敏薄膜的缺陷,提高載流子傳輸速率及減少不利的非輻射復合損失,從而提高光電探測器的靈敏度和響應速率。
聲明:
“自供能鈣鈦礦光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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