本發明提供一種透射電鏡原位電化學檢測芯片,包括上片和下片。所述上片和下片由兩面帶有絕緣層或氮化硅層的硅基片制成。所述上片設有兩個對稱的注液口和一個電子束視窗;所述上片的硅基片一面設置有金屬鍵合層。所述下片的硅基片一面設置有參比電極、工作電極和對電極三電極體系;所述下片中心位置設置有觀察視窗;所述上片和所述下片通過金屬鍵合層粘接。本發明提供一種透射電鏡原位電化學檢測芯片的制作方法,制成的原位電化學檢測芯片具有三電極和絕緣層,可實現通電條件下對樣品進行檢測,電場均勻,且安全性高、可控性強,同時以氮化硅層為支持層,有效提高成像分辨率,降低背景噪音。
聲明:
“透射電鏡原位電化學檢測芯片及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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