本發明描述了基于表面聲波(SAW)換能器和二維電子氣(2DEG)或二維空穴氣(2DHG)導電結構的組合的射頻識別(RFID)傳感器的實施方案,及其在化學檢測和(生物)分子診斷中的用途。SAW?RFID傳感器芯片包含在其上沉積多層異質結結構的壓電襯底。所述異質結結構包括至少兩層即緩沖層和阻擋層,其中兩層均由III?V單晶或多晶半導體材料諸如Ga?N/Al?Ga?N生長。轉換SAW的叉指換能器(IDT)安裝在所述阻擋層的頂部。2DEG或2DHG導電溝道形成在所述緩沖層和所述阻擋層之間的界面處,并且在連接到所形成的溝道的非歐姆(電容耦合)源極和漏極接觸之間的系統中提供電子或空穴電流。
聲明:
“用于化學檢測和(生物)分子診斷的表面聲波RFID傳感器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)