一種高溫混合電路結構,其中包括一通過電極 (4a,4b)與一導電安裝層(8)連接的溫度感測器件(2),該溫度敏 感器件包含SiC、AlN和/或AlxGa1-xN(x>0.69),所 述導電安裝層(8)與一AlN模片(6)相結合。所述模片、溫度感測 器件以及安裝層(它可以是W、WC或W2C)的溫度膨脹系 數彼此都在1.06內。安裝層可完全由W、WC或W2C黏合 層或一帶有一金屬化疊層(14)的黏合層(12)構成,所述金屬化疊 層的熱膨脹系數不大于所述黏合層的約3.5倍??墒褂梅磻呐?硅酸鹽混合物(18),用或不用有助于保持住導線(16)并增加結構 完整性的上模片(22)來封裝該器件。本發明可用于溫度感測器、 壓力感測器、化學感測器以及高溫和高功率電子線路。
聲明:
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