本發明公開一種直接探測中子的10BN材料的低氣壓化學氣相沉積生長裝置及其生長方法,以源加熱爐加熱生長源,使其分解為氣態產物,以氬氣或者氮氣作為氣態產物的載氣,在混氣罐中混氣結束后通入剛玉管中進行10BN薄膜的生長。該生長方法使用的生長源為富集10B,使得生長的10BN薄膜中有較好的10B豐度;該生長方法的生長源與載氣在混氣罐中混氣結束后通入反應腔室,使得生長源能和載氣均勻混合,能有效地提高10BN薄膜的生長速率和質量;該生長方法利用加熱線圈加熱生長源的傳輸路徑,以減少前驅體在傳輸過程中的損耗;該生長方法利用雙溫區的高溫管式爐,使得溫度場更加穩定。
聲明:
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