本發明涉及一種基于介孔花狀氧化錫復合材料的光電化學N端前腦鈉肽傳感器的制備方法及應用,屬于光電化學傳感器領域。通過水熱法合成的新穎的花狀SnO2,其介孔結構使其具備更好的存儲空間,更大的比表面積和較高的表面活性有利于尺寸較小的納米粒子在其表面生長,用氮摻雜的碳量子點NCQDs來敏化SnO2,增強其可見光吸收,再原位生長Bi2S3納米粒子,得到光電活性顯著提高的介孔花狀氧化錫復合材料SnO2/NCQDs/Bi2S3,通過層層自組裝方法,將N端前腦鈉肽抗體、牛血清白蛋白和N端前腦鈉肽抗原組裝到SnO2/NCQDs/Bi2S3復合材料上,利用SnO2/NCQDs/Bi2S3優異的光電活性以及N端前腦鈉肽抗原抗體之間的特異性結合,實現對N端前腦鈉肽的超靈敏檢測,這對N端前腦鈉肽的分析檢測具有重要的意義。
聲明:
“基于介孔花狀氧化錫復合材料的光電化學N端前腦鈉肽傳感器的制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)