本申請提供了一種外延片及其制造方法以及電化學傳感器,其中外延片包括:襯底;InGaN層片,形成于所述襯底的一側表面,其In含量在20%和60%之間,以確保從帶負電的表面態到帶正電的表面態的轉變發生在組成范圍內;InN層片,形成于所述InGaN層片的背朝所述襯底的一側表面上,以用作所述InGaN層片的表面電荷的穩定層。In含量在20%和60%之間的InGaN層片允許產生獨立于待測溶液濃度的電化學響應;另外,高密度本征帶正電表面態的InN層片進一步提高了本實施例參比電極的電化學穩定性,InGaN層片和InN層片的結合進一步使得應用本申請外延片的參比電極能夠具有穩定電化學響應。
聲明:
“外延片及其制造方法以及電化學傳感器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)