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    制備化學計量比非晶GaAs薄膜材料的方法

    1028   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 07:03:21
    大面積的非晶態GaAs薄膜已經由簡單和廉價磁控濺射技術制備出來了,并且非晶態GaAs薄膜具有半導體特性,但是非晶GaAs薄膜中存在組分偏析所引入大量的結構缺陷,阻礙非晶GaAs材料應用于光電子器件。我們發明的目的在于提供一種化學計量比非晶GaAs薄膜的濺射制備方法,在保證非晶GaAs薄膜的完全無序結構前提下,防止組分偏析,提高非晶GaAs薄膜的光電性能和表面形貌,這為研制短波紅外探測器、太陽能電池以及其他非晶態光電子器件奠定基礎。
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