本發明公開了一種化學機械拋光方法及芯片版圖等效特征參數提取方法,包括:將芯片版圖劃分成多個窗格,提取各個窗格的特征參數;以各個窗格的特征參數為索引,查詢預設類型號,判斷各個窗格的類型號,并將相同類型號的窗格定義為同一集群;對于芯片版圖內任一窗格i,提取預設區域內與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數,所述預設區域覆蓋所述窗格i,且所述預設區域的面積大于所述窗格i的面積;利用所述窗格i的特征參數及所述預設區域內與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數,計算所述窗格i的等效特征參數,提高了利用CMP模型對芯片表面形貌進行預測的方法的精度,提高集成電路的良率。
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