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    金納米刺拉曼增強檢測芯片的制備方法

    1112   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 07:17:29
    本發明提供了一種金納米刺拉曼增強檢測芯片的制備方法,其包括:準備表面干凈的芯片基底;采用離子濺射的方法在芯片基底的表面噴鍍一層鉑顆粒;在芯片基底上滴加硝酸銀溶液和氯金酸溶液,再滴加雙氧水進行還原;步驟S3的反應完成后,采用去離子進行沖洗芯片,即得到金納米刺拉曼增強檢測芯片。采用本發明的技術方案,利用離子濺射和原位化學生長制備出金納米刺拉曼增強檢測芯片,方法簡單,制備周期短,無表面活性劑的影響;使用的設備簡單,操作方便,可以大批量制備SERS芯片,而且可以在任意基底上制備金納米刺,可以廣泛應用于生物傳感、物質痕量檢測等領域。
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