本發明公開硅納米線—氧化鎢納米線刷狀多級結構及其制備方法和在探測二氧化氮中的應用,使用金屬輔助化學刻蝕法刻蝕單晶硅以形成硅納米線陣列,再進行稀疏粗糙化處理后進行沉積鎢薄膜材料層,升溫以生長一維氧化鎢納米線,最后進行鉑電極制備。本發明的硅納米線/氧化鎢納米線復合異質多級結構氣敏敏感元件在室溫下工作,且對二氧化氮具有很好的響應,在氣體傳感器與集成電路工藝兼容,延長傳感器壽命,節約能耗,以及危險氣體檢測方面具有很重要的研究價值。
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“硅納米線—氧化鎢納米線刷狀多級結構及其制備方法和在探測二氧化氮中的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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