本發明屬于半導體光電子器件領域,公開了一種半導體薄膜光電探測器及其制備方法,其中制備方法包括以下步驟:(1)配制用于生長硫屬化合物光敏半導體薄膜的前體溶液,將潔凈的襯底浸入前體溶液中進行一次化學浴沉積,對應得到20?500nm厚的薄膜,利用僅一次化學浴沉積或重復多次化學浴沉積生長得到厚度達到目標要求的硫屬化合物光敏半導體薄膜;(2)將襯底進行整體退火敏化處理;制作電極即可得到半導體薄膜光電探測器。本發明通過對制備方法整體流程工藝設計、以及關鍵化學浴沉積的參數條件等進行改進,能夠解決現有半導體薄膜光電探測器制備條件復雜、大規模生產成本高昂、工藝可靠性低和難以實現柔性化的問題。
聲明:
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