本發明公開了一種測量光子晶體孔洞側壁垂直度的方法,包括:在半絕緣砷化鎵襯底上,外延生長一定厚度的AlGaAs犧牲層;在AlGaAs犧牲層上外延生長一定厚度的砷化鎵;在砷化鎵層上外延生長一定密度InAs量子點;外延生長一定厚度的砷化鎵,將InAs量子點埋住;在砷化鎵上采用等離子體化學氣相淀積法(PECVD)鍍上一層SiO2薄膜;在SiO2薄膜上懸涂一層電子束膠;采用電子束曝光法在電子束膠上制作光子晶體圖形;采用反應離子刻蝕方法將電子束膠上的光子晶體圖形轉移至SiO2上,并去膠;采用掃描電鏡(SEM)對樣品進行測試,觀測并計算光子晶體孔洞的垂直度。利用本發明,不用觀察光子晶體孔洞截面,只測試光子晶體表面,便可測試出光子晶體孔洞側壁垂直度。
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