本發明公開了一種基于二維硒化鈷薄膜的室溫寬光譜光電探測器及制備方法,利用雙離子束濺射技術在襯底上濺射生長一定厚度的鈷膜,在此基礎上,以氯化鈷粉末、硒粉為反應源,以氬氣為載氣,利用化學氣相沉積法制備硒化鈷薄膜。在硒化鈷薄膜上設置與其歐姆接觸的金屬電極為源漏電極,構成二維硒化鈷薄膜基光電探測器。所得的硒化鈷薄膜基光電探測器在室溫下首次可實現450納米到10.6微米激光的寬光譜響應波段,其響應率高達2.58瓦/安。本發明提供了一種新型高性能二維材料基室溫寬光譜光電探測器,拓展了二維硒化鈷材料在光電領域及磁光領域的應用。
聲明:
“基于二維硒化鈷薄膜的室溫寬光譜光電探測器及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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