一種清洗單元的清洗效率的偵測方法,包括:提供若干批次基底,基底表面具有凹槽,凹槽的頂部寬度大于底部寬度,對不同批次基底進行如下處理:形成覆蓋基底且填充滿凹槽的多晶硅材料層;對多晶硅材料層進行化學機械研磨,形成表面與基底表面齊平的多晶硅層;對研磨后的多晶硅層表面寬度進行測量,獲得第一寬度;采用清洗單元對多晶硅層表面進行清洗;刻蝕多晶硅層,使多晶硅層的頂部寬度減??;對刻蝕后多晶硅層表面寬度進行測量,獲得第二寬度;進行上述處理之后,按照清洗順序,依次比較每個批次的基底所對應的第一寬度與第二寬度之間的差值;根據差值變化,判斷所述清洗單元的清洗效率是否下降。上述方法可以實現對清洗單元的清洗效率的偵測。
聲明:
“清洗單元的清洗效率偵測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)