• <tr id="qwu6y"></tr>
  • <menu id="qwu6y"><wbr id="qwu6y"></wbr></menu>
  • 合肥金星智控科技股份有限公司
    宣傳

    位置:中冶有色 >

    有色技術頻道 >

    > 化學分析技術

    > 覆蓋結構、半導體器件及其形成方法

    覆蓋結構、半導體器件及其形成方法

    1043   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 07:36:51
    在一些實施例中,提供了一種半導體器件。該半導體器件包括設置在半導體襯底中的外延結構,其中,該外延結構具有IV族化學元素,其中,外延結構從半導體襯底的第一側延伸到半導體襯底中。光電檢測器至少部分地布置在外延結構中。具有與第一IV族化學元素不同的第一覆蓋結構化學元素的第一覆蓋結構覆蓋位于半導體襯底的第一側上的外延結構。第二覆蓋結構布置在第一覆蓋結構和外延結構之間,其中,第二覆蓋結構包括IV族化學元素和第一覆蓋結構化學元素。本發明的實施例還提供了半導體器件的形成方法。
    登錄解鎖全文
    聲明:
    “覆蓋結構、半導體器件及其形成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
    我是此專利(論文)的發明人(作者)
    分享 0
             
    舉報 0
    收藏 0
    反對 0
    點贊 0
    標簽:
    化學分析
    全國熱門有色金屬技術推薦
    展開更多 +

     

    中冶有色技術平臺

    最新更新技術

    報名參會
    更多+

    報告下載

    赤泥綜合利用研究報告2025
    推廣

    熱門技術
    更多+

    衡水宏運壓濾機有限公司
    宣傳
    環磨科技控股(集團)有限公司
    宣傳

    發布

    在線客服

    公眾號

    電話

    頂部
    咨詢電話:
    010-88793500-807
    專利人/作者信息登記
    久爱国产精品一区免费视频_无码国模国产在线观看_久久久久精品国产亚洲A_国产综合精品无码
  • <tr id="qwu6y"></tr>
  • <menu id="qwu6y"><wbr id="qwu6y"></wbr></menu>