本發明公開了一種縱向雙腔原子氣室及其制備方法,由玻璃、硅片、玻璃依次鍵合而成;所述原子氣室包括設在上層玻璃和硅片之間的上層氣室,與上層氣室相連通、刻蝕在硅片上的用于吹制上層氣室的凹槽,刻蝕在下層玻璃上的反應室,與凹槽、反應室向連通的過濾通道;所述凹槽的深度小于硅片的厚度;過濾通道包括刻蝕在硅片上的第一通道。本發明在化學反應填充技術的基礎上設計了上檢測下反應的縱向雙氣腔結構,在保留定量配比的同時,縱向結構優化了氣室占地空間大??;縱向的結構也會使得重力限制生成的雜質向上層檢測氣室流通。
聲明:
“縱向雙腔原子氣室及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)