本發明提供一種三維存儲器件的制造方法及其器件結構,在進行化學機械拋光操作以平坦化三維存儲器件表面的步驟之前,無需沉積氮化硅阻擋層作為化學機械拋光終止信號的操作,可以通過將位于三維存儲器件區和外圍電路區上方的氧化物絕緣層的厚度設置為比所述三維存儲器件的堆疊層的厚度更厚,并通過監測位于所述堆疊層的核心平臺區上方的氧化物絕緣層的厚度來確定后續化學機械拋光的時間,從而省略了傳統的通過沉積氮化硅阻擋層來作為化學機械拋光停止操作的步驟,并且減少了化學機械拋光工藝后殘留的各種缺陷問題,降低了制造成本和時間,提高工藝的穩定性和產品良率。
聲明:
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