本申請涉及集成電路制造技術領域,公開了一種計算光刻建模方法及裝置,在該方法中,通過獲取測試圖形包含的圖形單元的類型,確定光學模塊組,然后根據光學模塊組,獲取物理光學模型的參數。計算光學模塊組在光刻膠上的理想光強分布,并根據理想光強分布以及光學模塊組在所述光刻膠上激發的光化學反應,獲取光化學模型的參數。接著模擬測試圖形在所述光刻膠上形成的邊界位置,并獲取所述測試圖形的關鍵尺寸仿真數據,若關鍵尺寸測量數據與關鍵尺寸仿真數據之間的擬合誤差不大于預設的容許誤差,則建立計算光刻模型。本申請公開的計算光刻建模方法,通過建立不同的光學模塊對不同的圖形單元進行仿真,有效提高了計算光刻模型的精度。
聲明:
“計算光刻建模方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)