本發明公開了一種一維硒化鎘半導體納米線的制備方法,包括:在襯底上沉積一金屬催化劑薄膜;在保護氣存在下,均勻混合硫化鎘和硒化鎘;將沉積催化劑薄膜的襯底和混合的硫化鎘與硒化鎘進行加溫,通過化學氣相沉積方法得到納米線。采用化學氣相沉積的方法能夠大面積批量生長,可有效控制半導體納米線的生長方向、長度,并顯著提高其載流子遷移率。制備的光電探測器性能優異。
聲明:
“一維硫硒化鎘半導體納米線的制備方法、納米線及器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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