本發明公開了一種基于氮吡咯噻吩的免摻雜空穴傳輸材料的制備及應用。步驟如下:步驟一、通過碳?碳偶聯、碳?氮偶聯、溴代反應、Stille反應等多種反應類型合成所需中間體,由中間體合成空穴傳輸材料W3,需要經歷多次反應及純化。步驟二、將W3配成溶液以空穴傳輸層應用于器件制備,得到的樣品進行各種光電化學測試,證明W3作為空穴傳輸材料的優異特性。步驟三、對得到的測試數據進行處理得到圖表。本發明利用氮吡咯噻吩為基礎合成了一種免摻雜空穴傳輸材料,該種材料應用于鈣鈦礦太陽能電池,有成本低,易于加工,穩定性高的優勢,為免摻雜空穴的進一步發展提供了思路。
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