提供了在氮化硅蝕刻步驟期間除去膠態二氧化硅沉積物在高縱橫比結構的表面上的生長的技術。使用高選擇性過蝕刻步驟以除去沉積的膠態二氧化硅。所公開的技術包括使用磷酸從具有形成在具有高縱橫比的窄間隙或溝槽結構中的氮化硅的結構中除去氮化硅,在所述結構中通過水解反應在所述窄間隙或溝槽的表面上形成了膠態二氧化硅沉積物。使用第二蝕刻步驟,其中形成膠態二氧化硅沉積物的水解反應是可逆的,并且由于氮化硅的消耗,附近的磷酸中的二氧化硅的濃度現在較低,平衡驅動反應向反方向進行,使沉積的二氧化硅溶解回溶液中。
聲明:
“用于處理氮化物結構而沒有二氧化硅沉積的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)