一種半導體器件檢查裝置用電流計9測定把平行電子束2照射在樣品5上而在樣品5上產生的電流。改變電子束3的加速電壓反復測定,在數據處理裝置10中,加速電壓的差異導致電子束對樣品5的透射率不同,由此求出與樣品5的深度方向的構造有關的信息。利用這種裝置可進一步改善檢測由電子束的照射產生的基板電流的技術,對接觸孔的詳細形狀和半導體器件的內部狀態進行無損檢查。
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