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    制備半導體失效分析樣品的方法

    1150   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:59:30
    本發明提出一種制備半導體失效分析樣品的方法,首先對所述測試芯片進行切割形成初始樣品并在所述初始樣品的一角暴露出所述測試區的切割面,其次再對所述初始樣品暴露出所述測試區切割面的一角進行切割,使切割面與所述測試區的排列方向垂直,從而可以準確的測量出所述測試區的特征尺寸。
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