本發明公開了一種IGBT模塊早期失效檢測方法,包括:對IGBT模塊進行高溫阻斷檢測,如果不滿足第一條件,則判定為早期失效,其中,所述第一條件是指:10~50分鐘的檢測時間內,IGBT模塊的阻斷漏電流小于100mA,變化率小于100%。由于檢測的時間只有10~50分鐘,檢測周期大大縮短,所以在生產過程中可以實現對所有的IGBT模塊進行檢測,同時,檢測過的IGBT模塊可以繼續使用,進而大大降低了成本。
聲明:
“IGBT模塊早期失效檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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