本發明提供了一種半導體測試結構及其形成方法、半導體器件的測試方法,所述半導體測試結構包括:至少一個半導體器件、至少兩個測試端、至少四個單向導通結構;其中,半導體器件形成在襯底;一個半導體器件連接有兩個測試端;一個測試端和一個半導體器件之間并聯連接有兩個單向導通結構,所述兩個單向導通結構的導通方向相反。采用本發明提供的半導體測試結構對半導體器件進行測試時,可以定位出異常位置,從而能夠僅對異常位置進行失效分析,避免了由于盲目全面的失效分析,而浪費失效分析的機臺資源以及人力資源的情況發生,提高了效率,降低了成本。
聲明:
“半導體測試結構及其形成方法、半導體器件的測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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