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    基于UIS的SiC芯片測試方法

    863   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 09:00:17
    一種基于UIS的SiC芯片測試方法。涉及一種半導體器件測試方法。包括以下步驟:S100,將待測的碳化硅功率器件進行電性檢測,然后從電性檢測合格的產品中選取若干只碳化硅功率器件在常溫下分別進行UIS極限能力測試,測試出相應的UIS極限能力值,并計算平均UIS極限能力測試值,記作Emax;S200,第一次測試:將UIS極限能力測試的能量設置為Emax的25%?30%;S300,第二次測試:將UIS測試的能量設置為Emax的20%?25%,S400,第N?1次測試:將UIS測試的能量設置為Emax的5%,這一步可以將缺陷密度小于0.1 cm?2,甚至更低的管芯篩選出來;S500,第N次測試:將UIS測試的能量設置為Emax的5%,最后一次復測,確保所有潛在風險的管芯被提前激發出來;更加有效解決了SiC功率器件在可靠性端PPM級失效問題。
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