本發明公開了一種pMOSFET器件負偏置溫度不穩定性壽命預測方法,包括:S1:施加負偏置應力之前,測量pMOSFET器件的初始特性,得到初始器件參數;S2:對該器件的柵極施加應力條件,且漏極電壓為正常工作電壓,在預設的時間間隔內對該器件進行應力老化測試;S3:對該器件進行參數測試,得到與老化時間相關的器件參數,直至總體應力時間結束;S4:漏極電壓為正常工作電壓下,重復步驟S2和S3,進行不同應力條件測試,以器件參數退化到臨界點為準,得到相應應力條件下pMOSFET器件的失效時間;S5:利用不同應力條件下pMOSFET器件的失效時間,預測柵極電壓為正常工作電壓條件下的器件可靠性壽命,本發明的方法得到的器件失效時間比常規方法更短,因此更能反映pMOSFET器件的NBTI壽命。
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