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    MOS器件的測試方法、裝置、系統、設備和存儲介質

    751   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 09:00:22
    本申請公開了一種MOS器件的測試方法、裝置、系統、設備和存儲介質,該方法包括:獲取測試器件的漏極電流,該漏極電流是向測試器件施加柵極電壓時測量得到的;根據柵極電壓和漏極電流計算得到測試器件的閾值電壓的測量值;獲取晶圓所在環境的環境溫度;調用預測模型對柵極電壓、柵極電壓對應的漏極電流和環境溫度進行處理,得到測試器件的閾值電壓的預測值,預測模型是根據測試組訓練得到的機器學習模型,測試組是對樣本器件進行測試得到的數據,測試組包括量測數據和樣本器件對應的閾值電壓,量測數據包括施加于樣本器件的柵極電壓、樣本器件的柵極電壓對應的漏極電流以及樣本器件所在環境的環境溫度;根據測量值和預測值確定測試器件是否失效。
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    “MOS器件的測試方法、裝置、系統、設備和存儲介質” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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