本發明公開了一種制備半導體樣品的方法,包括:(a)提供前端器件結構,前端器件結構上具有金屬間介電層,金屬間介電層中具有大馬士革結構;(b)在大馬士革結構中和金屬間介電層上形成金屬層,金屬層高于金屬間介電層;(c)對步驟(b)形成的結構進行減薄處理,形成半導體樣品。采用本發明的方法來制作具有大馬士革結構的TEM觀察樣品,能夠有效解決傳統工藝中的TEM觀察樣品減薄處理后其結構發生扭曲變形的問題,提高制備具有大馬士革結構的TEM觀察樣品的可靠性和準確性,進而提高通過其觀測結構所進行的失效分析的準確性和可靠性。并且本實施例的方法實施難度小、實施成本較低,具有很高的實用性。
聲明:
“制備半導體樣品的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)